(от лат. contactus - прикосновение) переходная область между приведёнными в соприкосновение металлом и полупроводником, обеспечивающая прохождение электрич. тока между ними. При установлении К. м. - п. вследствие различия в работе выхода электронов контактирующих материалов возникают встречные диффузионные и дрейфовые электронные потоки, выравнивающие Ферми-уровни металла и ПП. В результате вблизи границы металл - ПП образуется двойной электрич. слой пространств. заряда, наз. переходным барьерным слоем, и возникает связанная с ним контактная разность потенциалов. Если в переходном слое К. м. - п. концентрация осн. носителей заряда повышена по сравнению с их концентрацией в ост. объёме ПП (т. н. обогащённый слой), то такие К. м. - п. обеспечивают двустороннюю электрич. проводимость и используются в качестве омических (невьшрямляющих) контактов. Если переходной слой К. м. - п. обеднён осв. носителями заряда, то такой контакт, наз. Шотки-контактом, обладает выпрямляющим действием (см. также р - п-Переход). Шотки-контакты (Au - nSi, Ni - nSi, Pt - nGaAs и др.) используются при создании разл. ПП приборов (импульсных, детекторных, смесительных диодов, фотодиодов, детекторов ядерного излучения, биполярных и полевых транзисторов и т. д.).