Значение слова "ФОТОДИОД" найдено в 38 источниках

ФОТОДИОД

найдено в "Большой Советской энциклопедии"

Полупроводниковый диод, обладающий свойством односторонней фотопроводимости (См. Фотопроводимость) при воздействии на него оптического излучения. Ф. представляет собой полупроводниковый кристалл обычно с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход) (р–n-переходом), снабженный 2 металлическими выводами (один от р-, другой от n-области) и вмонтированный в металлический или пластмассовый защитный корпус. Материалами, из которых выполняют Ф., служат Ge, Si, GaAs, HgCdTe и др.

Различают 2 режима работы Ф.: фотодиодный, когда во внешней цепи Ф. содержится источник постоянного тока, создающий на р–n-переходе обратное смещение, и вентильный, когда такой источник отсутствует. В фотодиодном режиме Ф., как и Фоторезистор, используют для управления электрическим током в цепи Ф. в соответствии с изменением интенсивности падающего излучения. Возникающие под действием излучения неосновные носители диффундируют через р–n-переход и ослабляют электрическое поле последнего. Фототок в Ф. в широких пределах линейно зависит от интенсивности падающего излучения и практически не зависит от напряжения смещения. В вентильном режиме Ф., как и полупроводниковый Фотоэлемент, используют в качестве генератора Фотоэдс.

Основные параметры Ф.: 1) порог чувствительности (величина минимального сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к единице полосы рабочих частот), достигает 10^-14 вт/гц^1/2; 2) уровень шумов – не свыше 10^-9 а; 3) область спектральной чувствительности лежит в пределах 0,3–15 мкм; 4) спектральная чувствительность (отношение фототока к потоку падающего монохроматического излучения с известной длиной волны) составляет 0,5–1 а/вт; 5) инерционность (время установления фототока) порядка 10^-7–10^-8 сек. В лавинном Ф., представляющем собой разновидность Ф.с р–n-cтруктурой, для увеличения чувствительности используют т. н. лавинное умножение тока в р–n-переходе, основанное на ударной ионизации (См. Ионизация) атомов в области перехода фотоэлектронами. При этом коэффициент лавинного умножения составляет 10²–10⁴. Существуют также Ф. с р–i–n-cтруктурой, близкие по своим характеристикам к Ф. с р–n-cтруктурой; по сравнению с последними они обладают значительно меньшей инерционностью (до 10^-10 сек).

Ф. находят применение в устройствах автоматики, лазерной техники, вычислительной техники, измерительной техники и т.п.

Лит.: Тришенков М. А., Фример А. И., Фотоэлектрические полупроводниковые приборы с р–n-переходами, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, М., 1971; Рябов С. Г., Торопкин Г. Н., Усольцев И. Ф., Приборы квантовой электроники, М., 1976.

И. Ф. Усольцев.

Структурная схема фотодиода и схема его включения при работе в фотодиодном режиме: 1 — кристалл полупроводника; 2 — контакты; 3 — выводы; Ф — поток электромагнитного излучения; п и р — области полупроводника соответственно с донорной и акцепторной примесями; Е — источник постоянного тока; R_н — нагрузка.

Найдено 2 изображения:

Изображения из описаний на этой странице

найдено в "Словаре синонимов"

фотодиод сущ., кол-во синонимов: 1 • диод (10) Словарь синонимов ASIS.В.Н. Тришин.2013. . Синонимы: диод

найдено в "Большой советской энциклопедии"

ФОТОДИОД, полупроводниковый диод, обладающий свойством односторонней фотопроводимости при воздействии на него оптич. излучения. Ф. представляет собой полупроводниковый кристалл обычно с электронно-дырочным переходом (р - n-переходом), снабжённый 2 метал-лич. выводами (один от р-, другой от n-области) и вмонтированный в металлич. или пластмассовый защитный корпус. Материалами, из к-рых выполняют Ф., служат Ge, Si, GaAs, HgCdTe и др.

Различают 2 режима работы Ф.: фотодиодный, когда во внешней цепи Ф. содержится источник постоянного тока, создающий на р - n-переходе обратное смещение, и вентильный, когда такой источник отсутствует. В фотодиодном режиме Ф., как и фоторезистор, используют для управления элек-трич. током в цепи Ф. в соответствии с изменением интенсивности падающего излучения. Возникающие под действием излучения неосновные носители диффундируют через р - n-переход и ослабляют электрич. поле последнего. Фототок в Ф. в широких пределах линейно зависит от интенсивности падающего излучения и практически не зависит от напряжения смещения. В вентильном режиме Ф., как и полупроводниковый фотоэлемент, используют в качестве генератора фотоэдс.

Осн. параметры Ф.: 1) порог чувствительности (величина минимального сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к единице полосы рабочих частот), достигает 10^-14 вт/гц ^1/2; 2) уровень шумов - не св. 10^-9 а; 3) область спектральной чувствительности лежит в пределах 0,3- 15 мкм; 4) спектральная чувствительность (отношение фототока к потоку падающего монохроматич. излучения с известной длиной волны) составляет 0,5-1 а/вт; 5) инерционность (время установления фототока) порядка 10^-7 - 10^-8 сек. В лавинном Ф., представляющем собой разновидность Ф. с р - n-структурой, для увеличения чувствительности используют т. н. лавинное умножение тока в р - n-переходе, основанное на ударной ионизации атомов в области перехода фотоэлектронами. При этом коэфф. лавинного умножения составляет 10²- 10⁴. Существуют также Ф. с р - i - n-структурой, близкие по своим характеристикам к Ф. с р - n-структурой; по сравнению с последними они обладают значительно меньшей инерционностью (до 10^-10 сек). Ф. находят применение в устройствах автоматики, лазерной техники, вычислит. техники, измерит, техники и т. п.

Лит.: Тришенков М. А., Фример А. И., Фотоэлектрические полупроводниковые приборы с р-n-переходами, в сб.: Полупроводниковые приборы и их применение, М., 1971; Рябов С. Г., Торопкин

Г. Н., Усольцев И. Ф., Приборы квантовой электроники, М., 1976.

И. Ф. Усольцев.

найдено в "Физической энциклопедии"

полупроводниковый фотоэлектрич. селективный приёмник оптического излучения, обладающий односторонней фотопроводимостью. Полупроводниковый кристалл Ф. обладает электронно-дырочным переходом (р—n-переходом). Различают 2 режима работы Ф.: фотодиодный, когда во внеш. цепи Ф. содержится источник пост. тока, создающий на р—n-переходе обратное запирающее смещение, и вентильный, когда такой источник отсутствует. В фотодиодном режиме Ф., как и фоторезистор, используют для управления электрич.током в цепи в соответствии с изменением интенсивности падающего излучения. Возникающие под действием излучения неосновные носители диффундируют через р—n-переход и ослабляют электрич, поле последнего. Фототок в Ф. в широких пределах линейно зависит от интенсивности падающего излучения и практически не зависит от напряжения смещения. В вентильном режиме Ф., как и полупроводниковый фотоэлемент, используют в качестве генератора фотоэдс.

Область спектр. чувствительности Ф. определяется полупроводниковым материалом, из к-рого он изготовлен. Широкое распространение получили Ф. из Ge и Si, чувствительные соответственно в диапазонах 0,4—2,0 мкм и 0,4—1,2 мкм; Ф. из InAs, работающий при охлаждении до 233 К, чувствителен в диапазоне 3,0—5,9 мкм. Ф. изготовляют с величиной фоточувствит. площади от долей мм2 до десятков мм2. При необходимости большой эфф. светочувствительной площади в конструкции Ф. используют иммерсионную систему. Порог чувствительности совр. Ф. (величина миним. сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к ед. полосы рабочих частот) достигает 10-14 Вт/Гц1/2; типичное значение интегральной чувствительности 0,5 А/Вт. Постоянная времени (инерционность) Ф. определяется временем перехода неосновных носителей до р—n-перехода и изменяется в пределах 10-10—10-5 с в зависимости от длины волны регистрируемого излучения, конструкции Ф. и схемы его включения. Для регистрации излучения с длинами волн 8—15 мкм разработаны. Ф. на основе тройных соединений типа HgCdTe, обладающие при охлаждении до 77 К порогом чувствительности 10-13 Вт/Гц1/2 и постоянной времени 10-9 с. Лавинные Ф. (счётчики фотонов) основаны на явлении электрич. пробоя р—n-перехода, в результате к-рого из-за ударной ионизации происходит лавинообразное увеличение числа носителей заряда: коэфф. усиления фототока в лавинных Ф. из Ge достигает 3•102 и 104—106 в Ф. из Si; порог чувствительности — до 10-17 Вт/Гц1/2. Ф. применяются также как приёмники инфракрасного излучения.

Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия.Главный редактор А. М. Прохоров.1983.

Синонимы:

диод

найдено в "Большом энциклопедическом политехническом словаре"

(от фото... и диод) - полупроводниковый диод, обладающий св-вом односторонней фотопроводимости, возникающей при воздействии на него оптич. излучения. Работа Ф. осн. на поглощении света вблизи области ПП перехода (р - п-перехода, гетероперехода или контакта металл - полупроводник), в результате чего генерируются новые носители заряда (электронно-дырочные пары). В качестве Ф. чаще всего используют кремниевые пин-диоды, к-рые обеспечивают необходимую чувствительность и быстродействие прибора. Спектральная чувствительность Ф. (отношение фототока к потоку падающего монохроматич. излучения) обычно составляет 0,5 - 1 А/Вт; область спектральной чувствительности лежит в пределах 0,3 - 15 мкм; инерционность (время установления фототока) достигает 0,1 не. Ф. применяется в устройствах оптоэлектроники, автоматики, вычислит. и измерит. техники как фотоэлемент - для получения фотоэдс (вентильный режи м), а также для управления током в электрич. цепях (фото диодный режим). См. рис.

Схема кремниевого планарного фотодиода: 1 - кремниевый кристалл п-типа; 2 - диффузионная р-область; 3 - омические контакты; 4 - антиотражающее покрытие

найдено в "Русско-английском политехническом словаре"

photoelectric cell, absorber diode, optical diode, photo(sensitive) diode, photocell, photodetector, photodiode

* * *

фотодио́д м.
photodiode, semiconductor [solid-state] photodiode

дре́йфовый фотодио́д — drift photodiode

кре́мниевый фотодио́д — silicon photodiode

лави́нный фотодио́д — avalanche photodiode

плана́рный фотодио́д — planar photodiode

плоскостно́й фотодио́д — junction photodiode

пове́рхностно-барье́рный фотодио́д — surface-barrier [Schottky] photodiode

фотодио́д с боковы́м освеще́нием — edge-illuminated photodiode

фотодио́д с гетероперехо́дом — heterofunction photodiode

фотодио́д с запира́ющим сло́ем — depletion-layer photodiode

тонкоплё́ночный фотодио́д — thin-film photodiode

то́чечный фотодио́д — point-contact photodiode

тя́нутый фотодио́д — grown(-function) photodiode

фотодио́д, формо́ванный излуче́нием ла́зера — laser-formed photodiode

Синонимы:

диод

найдено в "Полном фонетическом разборе слов"

1) Орфографическая запись слова: фотодиод
2) Ударение в слове: фотоди`од
3) Деление слова на слоги (перенос слова): фотодиод
4) Фонетическая транскрипция слова фотодиод : [фатад'`от]
5) Характеристика всех звуков:
ф [ф] - согласный, твердый, глухой, парный
о [а] - гласный, безударный
т [т] - согласный, твердый, глухой, парный
о [а] - гласный, безударный
д [д'] - согласный, мягкий, звонкий, парный
и и - гласный, безударный
о [`о] - гласный, ударный
д [т] - согласный, твердый, глухой, парный

8 букв, 7 звук

найдено в "Русско-английском техническом словаре"

photodiode

– дрейфовый фотодиод
– кремниевый фотодиод
– планарный фотодиод
– плоскостной фотодиод
– тонкопленочный фотодиод
– тянутый фотодиод
– фотодиод с гетеропереходом

фотодиод с боковым освещением — edge-illuminated photodiode

фотодиод с запирающим слоем — depletion-layer photodiode

Синонимы:

диод

найдено в "Терминологическом словаре автоматизации строительства и производственных процессов"

Фотодиод — это светочувствительный диод, который использует энергию света для создания напряжения. Широко используются в бытовых и промышленных автоматических системах управления, где переключателем является количество поступающего света. Например, контроль степени открытия жалюзи в системе умного дома, исходя из уровня освещенности.

[Каталог приборов КИПиА: информация, обучение, схемы (Электронный ресурс). Режим доступа: http:// kipiavp.ru›katalog-priborov/, свободный.]

найдено в "Научно-техническом энциклопедическом словаре"

ФОТОДИОД, полупроводниковый прибор, который под действием света создает ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК. Состоит из диода с р-п переходом (электронно-дырочным переходом) и линзой, которая фокусирует свет на переходе. Используется для измерения силы света или для определения его присутствия. см. также ПОЛУПРОВОДНИК.

найдено в "Естествознании. Энциклопедическом словаре"

полупроводн. диод, обладающий односторонней фотопроводимостью, возникающей при воздействии на пего оптич. излучения. Используется в устройствах автоматики, вычислит., измерит. техники и др. в качестве генератора фотоэдс или для управления током в электрич. цепях.

Синонимы:

диод

найдено в "Современном энциклопедическом словаре"

ФОТОДИОД, полупроводниковый диод, обладающий односторонней фотопроводимостью, возникающей при воздействии на него оптического излучения. Используется в устройствах автоматики, вычислительной, измерительной техники и др. в качестве генератора фотоэдс или для управления током в электрических цепях.

А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z