CVDVERFAHREN

CVD-Verfahren,

 

Abkürzung für Chemical vapor deposition ['kemɪkl 'veɪpə depə'zɪʃn, englisch], Abscheidung verschleiß- und korrosionsschützender Schichten auf Werkstücken oder von Dotanten auf Halbleiteroberflächen durch chemische Abscheidung aus der Gasphase bei Temperaturen zwischen 500 und 1 100 ºC, vorzugsweise zwischen 800 und 1 000 ºC. Abgeschieden werden v. a. Titancarbid, Titannitrid, Chromcarbid, Eisenboride. CVD-Schichten aus Titancarbid verlängern die Standzeit von Schneidwerkzeugen erheblich.

 

Hier finden Sie in Überblicksartikeln weiterführende Informationen:

 

Mikrotechnik: Typische Herstellungsverfahren