ФОТОЛИТОГРАФИЯ, 1) специальный фотографич. процесс на фоторезистах, отличающийся высокой разрешающей способностью. Цель Ф.- создать в слое фоторезиста "окна" заданной конфигурации для доступа травителя к расположенной под этим слоем полупроводниковой пластине с окисной плёнкой. Такие "окна" образуются при экспонировании фоторезиста в потоке ультрафиолетового излучения или в потоке электронов, в результате к-рого он теряет (негативный фоторезист) или приобретает (позитивный фоторезист) способность к растворению. Одним из многочисл. применений Ф. служит получение этим методом сотен тысяч мельчайших упорядочение расположенных отверстий в масках цветных телевизоров. См. также Планарная технология. 2) Фотомеханич. способ изготовления литографской печатной формы (см. Литография), при к-ром изображение с негатива копируется на светочувствит. слой, покрывающий поверхность литографского камня (или металла). После проявления копии её подвергают хим. обработке, в результате к-рой поверхность разделяется на печатающие и пробельные элементы. В наст. время (2-я пол. 20 в.) Ф. применяется чрезвычайно редко. 3) Оттиск с литографской печатной формы, изготовленной по способу Ф.
способ формирования рельефного покрытия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. Ф. обычно включает: 1) нанесение фоторезиста на металл, диэлектрик или полупроводник методами центрифугирования, напыления или возгонки; 2) сушку фоторезиста при 90-110 0C для улучшения его адгезии к подложке; 3) экспонирование фоторезиста видимым или УФ излучением через фотошаблон (стекло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения; осуществляется с помощью ртутных ламп (при контактном способе экспонирования) или лазеров (гл. обр. при проекц. способе); 4) проявление (визуализацию) скрытого изображения Путем удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и орг.р-рителями либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда; 5) термич. обработку (дубление) полученного рельефного покрытия (маски) при 100-200 0C для увеличения его стойкости при травлении; б) травление участков своб. пов-сти травителями кислотного типа (напр., на основе HF, NH4F или CH3COOH) или сухими методами (напр., галогенсодержащей плазмой); 7) удаление маски р-рителями или выжиганием кислородной плазмой. Масштаб передачи рисунка фотошаблона обычно 1:1 или 5:1 и 10:1 (при проекц. способе экспонирования).
При изготовлении интегральных схем процесс повторяют многократно на разл. технол. слоях материала и при этом каждый послед. рисунок должен быть совмещен с предыду-щим.
Часто для придания фоторезистному покрытию специфич. св-в (повышение стойкости к травителям, уменьшение отражения излучения от подложки, планаризация рельефа и др.) формируют многослойные покрытия, в к-рых один из слоев, обычно верхний, является собственно фоторезистом, а остальные имеют вспомогат. ф-ции. Двухслойное покрытие м. б. сформировано и в однослойном фоторезисте путем локальной хим. модификации пов-сти.
Разновидности Ф.: т. наз. взрывная (для получения рисунка на пленках металла) и инверсионная (для получения профиля изображения с отрицат. наклоном стенок). В первом случае рисунок получается путем напыления слоя металла на пластину с проявленным фоторезистом, а при снятии фоторезиста удаляют часть металлич. слоя, осевшего на маску; во втором - на позитивном фоторезисте получают негативный рисунок.
Осн. требования к Ф.: высокая разрешающая способность, минимально привносимая дефектность и большая производительность, к-рые определяются обычно св-вами фоторезистов, параметрами фотолитографич. оборудования и чистотой технол. помещений.
Вместе с др. видами микролитографии - электроно-, рен-тгено- и ионолитографией (соотв. экспонирование потоком электронов, рентгеновскими лучами и ионами легких элементов) - Ф. является одним из методов планарной технологии и применяется для изготовления интегральных микросхем, печатных плат, запоминающих устройств, высокочастотных приборов и др.
Лит.:M о r о У., Микролитография, пер. с англ., M., 1990. См. также лит. при ст. Планарная технология. Г. К. Селиванов.
- способ формирования изделий разл. типа с использованием светочувствит. материалов. Ф. применяется в полиграфии для фотомеханич. изготовления печатных форм на формном материале (камне или металлич. пластине) в результате фотодубления или фотополимеризации светочувствит. слоя. Этот способ отличается высокой трудоёмкостью и многооперационностью, но широко используется для изготовления офсетных форм, обеспечивающих высококачеств. воспроизведение сложных оригиналов.В процессе фотодубления-применяются поливиниловый спирт, низкомолекулярные смолы (связующие), соли хрома и диазосоединения (сенсибилизаторы), обеспечивающие фотосшивку макромолекул. В состав фотополимеризующихся композиций входят мономеры или низкомолекулярные полимеры и инициаторы фотополимеризации, сенсибилизаторы.
В электронике Ф. используется для формирования рельефного рисунка в слое металла, диэлектрика или полупроводника с применением фоторезистов и источников УФ-излучения в процессе изготовления интегральных схем и др. электронных устройств. В зависимости от требуемого размера элементов интегральных схем применяют контактную (при низком разрешении) или проекционную (при высоком разрешении) Ф. Проекционная Ф. обеспечивает создание сверхбольших интегральных схем типа дина-мич. оперативных запоминающих устройств ёмкостью до 64 Мбит и более при использовании наиб. коротковолнового УФ-излучения эксимерных лазеров ( l~=193 нм). При этом предельные мин. размеры элементов сверхбольших интегральных схем, получаемых методом Ф., практически ограничиваются интерференцией и дифракцией света и достигают 0,35 мкм.
С 90-х гг. развивается т. н. ф о т о с т е р е о л и т о г р а-ф и я-способ получения объёмных изделий из жидких фотополимеризующихся композитов путём послойной фотополимеризации лазерным излучением методом автоматизированного проецирования. Этот способ применяется при изготовлении эксперим. моделей и образцов техн. и медицинских изделий сложной формы, а также пресс-форм разл. назначения. Фотостереолитография существенно сокращает время, необходимое для отработки конструкции новых изделий.
Лит.: Боков Ю. С., Фото-, электронно- и рентгенорезисты, М., 1982; Лазаренко Э. Т., Фотохимическое формование печатных форм, Львов, 1984; Слуцкин А. А., Справочник технолога-полиграфиста, ч. 2. Копировально-множительные процессы, М., 1989. В. А. Барачевский.
Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия.Главный редактор А. М. Прохоров.1988.
Словарь иностранных слов, вошедших в состав русского языка.- Чудинов А.Н.,1910.
Полный словарь иностранных слов, вошедших в употребление в русском языке.- Попов М.,1907.
Словарь иностранных слов, вошедших в состав русского языка.- Павленков Ф.,1907.
Новый словарь иностранных слов.- by EdwART, ,2009.