КИКОИНА НОСКОВА ЭФФЕКТ

найдено в "Большой Советской энциклопедии"

фотомагнитноэлектрический эффект, возникновение электрического поля в освещенном полупроводнике (См. Полупроводники), помещенном в магнитное поле. Электрическое поле перпендикулярно магнитному полю и потоку носителей тока (электронов проводимости (См. Электрон проводимости), дырок (См. Дырка)), диффундирующих в полупроводнике в направлении от освещенной стороны полупроводника, где поглощённые фотоны образуют электронно-дырочные пары, к неосвещенной. К. — Н. э. наблюдается при резко неоднородной концентрации неосновных носителей тока, что достигается при сильном поглощении света. Открыт в 1933 И. К. Кикоиным и М. М. Носковым. Применяется при исследовании полупроводников.

найдено в "Современном энциклопедическом словаре"

КИКОИНА - НОСКОВА ЭФФЕКТ, возникновение электрического поля Е в освещенном полупроводнике, помещенном в магнитном поле Н. Направление поля Е перпендикулярно как Н, так и потоку носителей заряда, диффундирующих от освещенной поверхности полупроводника (где они возникают под действием света) к неосвещенной. Открыт И. К. Кикоиным и М. М. Носковым в 1933.

найдено в "Естествознании. Энциклопедическом словаре"

возникновение электрич. поля Е в освещённом полупроводнике, помещённом в магнитное поле Н. Направление поля Е перпендикулярно как Н, так и потоку носителей заряда, диффундирующих от освещённой поверхности полупроводника (где они возникают под действием света) к неосвещённой. Открыт И. К. Кикоиным и М. М. Но-сковым в 1933.

найдено в "Энциклопедическом словаре естествознания"

КИКОИНА - НОСКОВА ЭФФЕКТ , возникновение электрического поля Е в освещенном полупроводнике, помещенном в магнитном поле Н. Направление поля Е перпендикулярно как Н, так и потоку носителей заряда, диффундирующих от освещенной поверхности полупроводника (где они возникают под действием света) к неосвещенной. Открыт И. К. Кикоиным и М. М. Носковым в 1933.

найдено в "Большом энциклопедическом словаре"

КИКОИНА - НОСКОВА ЭФФЕКТ, возникновение электрического поля Е в освещенном полупроводнике, помещенном в магнитном поле Н. Направление поля Е перпендикулярно как Н, так и потоку носителей заряда, диффундирующих от освещенной поверхности полупроводника (где они возникают под действием света) к неосвещенной. Открыт И. К. Кикоиным и М. М. Носковым в 1933.