FET

Fẹt,

 

Afanassij Afanassjewitsch, eigentlich A. A. Schenschịn, Šenšin [ʃɛn'ʃin], russischer Lyriker, * Nowosjolki (bei Mzensk, Gebiet Orel) 5. 12. 1820, ✝ Moskau 3. 12. 1892; aus wohlhabender Gutsbesitzerfamilie; einer der bedeutendsten Vertreter der russischen tendenzfreien »reinen Dichtung« - im Gegensatz zur damals herrschenden gesellschaftspolitisch engagierten Literatur. Fet stellt mit seinen stimmungs- und klangreichen, formal meisterhaften Gedichten eine Verbindung zwischen der Poesie der Puschkin-Zeit und dem russischen Symbolismus dar.Liebe und Natur sind die dominierenden Themen sowohl seiner frühen als auch seiner späteren philosophisch überlagerten Lyrik; übersetzte neben antiken Dichtern, u. a. Horaz, Ovid, Vergil, auch Goethes »Faust«.

 

Werke: Gedichte: Večernie ogni, 4 Teile (1883-91).

 

Erinnerungen: Moi vospominanija, 1848-1889 (1890); Rannie gody moej žizni (herausgegeben 1893).

 

Ausgabe: Polnoe sobranie stichotvorenij (1959).

 

Literatur:

 

R. F. Gustafson: The imagination of spring. The poetry of A. F. (New Haven, Conn., 1966);

 B. J. Buchštab: A. A. F. Očerk žizni i tvorčestva (Leningrad 1974);

 L. M. Lotman: A. F. (a. d. Russ., Boston, Mass., 1976).

FET

 

[Abk. für Field Effect Transistor, »Feldeffekttransistor«] der, ein spezieller Transistor zur Verstärkung und Steuerung von Signalen.Aufgebaut ist ein FET im Prinzip aus einer Halbleiterschicht, auf der sich in einem gewissen Abstand voneinander drei Elektroden befinden, die Source (Quelle), Gate (Gatter) und Drain (Senke) genannt werden. Das Funktionsprinzip beruht darauf, dass ein schwaches elektrisches Feld (mit dem Gate erzeugt) einen Stromkanal (zwischen Source und Drain) nach Bedarf sperrt, einengt oder weitet (sog. Sperrschicht-FET) oder die Ladungsträgerdichte im Kanal beeinflusst (sog. MOSFET). Da nur ein sehr schwaches Feld und also eine sehr geringe elektrische Leistung benötigt wird, um den Strom durch den Kanal zu beeinflussen, eignet sich der FET sehr gut zur Verstärkung schwacher Signale.

FET,

 

Abkürzung für Feldeffekttransistor.