АМОРФНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
аморфные в-ва, обладающие св-вами полупроводников. Различают ковалентные А. п. (Ge и Si, GaAs и др. в аморфном состоянии), халькогенидные стёкла (напр., As31 Ge30 Se21 Te18), оксидные стёкла (напр., V2O5—P2O5) и диэлектрич. плёнки (SiOx, Аl2O3, Si3N4 и др.). А. п. можно рассматривать как сильно легированный компенсированный полупроводник, у к-рого «дно» зоны проводимости и «потолок» валентной зоны флуктуируют, причём эти флуктуации порядка ширины запрещённой зоны ?д.Эл-ны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне разбиваются на «капли», расположенные в ямах потенц. рельефа, разделённых высокими барьерами. Электропроводность при низких темп-pax носит прыжковый хар-р (см. ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ). При более высоких темп-pax электропроводность А. п. обусловлена тепловым забросом эл-нов в область делокализов. состояний (см. НЕУПОРЯДОЧЕННЫЕ СИСТЕМЫ). А. п. обладают рядом уникальных св-в, к-рые открывают возможность для их разл. практич. применений. Халькогенидные стёкла благодаря прозрачности в ИК области спектра, высокому сопротивлению и фоточувствительности применяются для изготовления электрофотогр. пластин передающих телевиз. трубок и записи голограмм (см. ГОЛОГРАФИЯ). У А. п. ярко выражен эффект электрич. переключения из высокоомного состояния в низкоомное и обратно, позволяющий создавать элементы со временем срабатывания ?10-10—10-12 с.
Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия.Главный редактор А. М. Прохоров.1983.