Значение слова "P ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ" найдено в 1 источнике

P ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ

найдено в "Химической энциклопедии"

, квантовохим. метод изучения энергетич. состояний ненасыщенных соед., в к-ром св-ва молекулы соотносятся со строением системы P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №1 -орбита-лей. В рамках молекулярных орбиталей методов все орбитали молекулы, ядерная конфигурация к-рой имеет плоскость симметрии, можно разделить на P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №2 -орбитали, меняющие знак при отражении в плоскости симметрии, и P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №3 -орбитали, не меняющие знака. Для многих классов соед., напр. ненасыщенных углеводородов, высшие занятые и низшие виртуальные (незанятые) орбитали относятся к P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №4 -типу, а усредненное поле, создаваемое P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №5 -электронами, можно считать локально постоянным. Это позволяет пренебречь взаимным влиянием P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №6 и P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №7 -электронных подсистем при изучении низколежащих по энергии электронных состояний.
Для молекул, обладающих плоскостью симметрии, выделение P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №8- и P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №9 -орбиталей не составляет трудностей. Напр., для плоской молекулы этилена P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №10 -орбитали считаются построенными из гибридных 2 -орбиталей атома С и 1s-орбиталей атомов Н, а P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №11 -орбитали - из негибридизированных 2р-орби-талей атомов С. Для молекул, не имеющих плоскости симметрии, строгое выделение системы P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №12 -орбиталей невозможно.В этом случае для P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №13 -Э. п. используют такие орбитали, к-рые более всего напоминают р-орбитали атомов. Напр., для пропилена P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №14 -орбитали можно описать с помощью тех же орбиталей, что и в случае этилена, и 3 -орбиталей атома С метильной группы. В качестве p-ороиталей рассматривают негибридизированные 2p-орбитали атомов С.
Мол. системы, для к-рых возможно разделение орбиталей на P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №15и P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №16 -орбитали, наз. часто P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №17 -электронными системами или просто P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №18 -системами. Как правило,P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №19 -орбитали носят локализованный характер, обычно они двухцентровые.P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №20 -Орбитали существенно менее локализованы и могут иметь трех-, четырех- или многоцентровый характер, что в химии связывают с понятием сопряжения связей (бутадиен, бензол и т. п.). При изменении строения молекулы (напр., введении заместителей) изменения св-в связывают именно с P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №21 -орбиталями, а изменением P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №22 -орбиталей пренебрегают. Взаимное влияние P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №23 -орбиталей и остальных мол. орбиталей учитывают как изменение св-в молекулы при введении заместителя (поляризацию) или как дополнит. сопряжение, используя методы, напр., возмущений теории. Надежность результатов, получаемых в p-Э. п., определяется тем, насколько удалены друг от друга локализованные мол. орбитали, взаимодействующие с системой P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №24 -орбиталей, а также тем, насколько различаются эти мол. орбитали по энергии.
Как правило, в P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №25 -Э. п. для расчетов основного состояния молекулы используют полуэмпирические методы квантовой химии, основанные на пренебрежении дифференциальным перекрыванием атомных орбиталей. Расчет низколежащих возбужденных состояний возможен с использованием конфигурационного взаимодействия метода в том его варианте, в к-ром однократно возбужденные электронные конфигурации получают заменой занятых P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №26 -орбиталей на аналогичные вакантные. К таким методам относится, напр., метод Паризе ра-Парра-Попла (метод ППП). Взаимодействие P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №27 и P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №28 -орбиталей проявляется как зависимость молекулярных интегралов и геометрии молекулы от P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №29 -электронной плотности.
В связи с развитием расчетных методов P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №30 -Э. п. вытесняется полуэмпирич. методами без выделения P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №31 -системы или неэмпирическими методами. Однако для мол. систем большого размера (полиацетилены, поликонденсиров. системы) учет всех взаимод. затруднен. Для них обычно используют упрощенные варианты P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №32 -Э. п. Напр., в т. наз. приближении Хаббарда ненулевыми мол. интегралами считаются лишь одноцентровые интегралы межэлектронного отталкивания. Еще более простым является приближение Хюккеля, в к-ром двухэлектронными взаимод. вообще пренебрегают, а в матрице эффективного гамильтониана, определяющего P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №33 -орбиталь, сохраняются лишь диагональные элементы и те из недиагональных, к-рые можно соотнести с валентным штрихом в структурной ф-ле молекулы (см. Хюккеля метод).
Упомянутые упрощенные варианты P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №34 -Э. п. предполагают определение полуэмпирич. параметров по результатам расчета энергии P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №35 -системы, потенциалов ионизации или энергий возбуждения простых молекул (без заместителей).P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №36 -Э. п. служит для описания наиб. изменчивой, легко поляризуемой и относительно независимой части электронного распределения молекулы. Корреляционные соотношения позволяют соотнести энергию P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №37 -системы и распределение электронной плотности с хим. св-вами молекулы.
У многих мол. систем среди низших возбужденных состояний есть такие, для описания к-рых необходим учет P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №38 -возбуждений, напр. если в P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №39 -систему включается гетероатом с неподеленными парами электронов. В таких случаях P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №40 -Э. п.
становится слишком грубым. То же можно утверждать и для мол. систем с заметным переносом заряда при возбуждении. У молекул, традиционно относимых к P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №41 -системам, высшие занятые P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №42 -орбитали могут лежать по энергии выше низших занятых P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №43 -орбиталей (пример - бензол). При внеш. воздействии на такие молекулы необходим учет изменения не только P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №44 -орбиталей, но и P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №45 -орбиталей (напр., при анализе магн. восприимчивости).
С 80-х гг. стали заметны две тенденции в развитии методов изучения P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №46 -электронных систем. Первая - отказ от учета особой роли P   ЭЛЕКТРОННОЕ ПРИБЛИЖЕНИЕ фото №47 -орбиталей и анализ молекулы как целого или же выделение группы низколежащих орбиталей (или групп орбиталей) молекулы независимо от типа их симметрии. Вторая тенденция - переход к чисто топологич. моделированию высших занятых и низших виртуальных мол. орбиталей; топологич. моделирование связано с методами типа метода Хюккеля и теориями реакционной способности, основанными на корреляционных соотношениях или принципах сохранения орбитальной симметрии (см. Вудворда-Хофмана правила).

Лит.: Дьюар М., Теория молекулярных орбиталей в органической химии, пер. с англ., М., 1972; Полуэмпирические методы расчета электронной структуры, пер. с англ., т. 1-2, М., 1980; Травень В. Ф., Электронная структура и свойства органических молекул, М., 1989.

В. И. Пупышев.


Найдено 47 изображений:

Изображения из описаний на этой странице
T: 39