Feld|effekttransistor,
Abkürzung FET, ein unipolarer Transistor. Im Gegensatz zu den bipolaren Transistoren sind am Ladungstransport in Feldeffekttransistoren nur Ladungsträger einer Art (Elektronen oder Defektelektronen) beteiligt. Die in Planartechnik hergestellten Feldeffekttransistoren weisen einen hohen Eingangswiderstand (bis 1015 Ω) auf und zeichnen sich gegenüber bipolaren Transistoren u. a. durch geringeren Flächenbedarf und großen Aussteuerbereich aus. Die beiden Elektroden, an denen die Ladungsträger in den Stromkanal eintreten beziehungsweise aus ihm austreten, werden als Source (Quelle, s-Pol) und Drain (Senke, d-Pol), die das strombeeinflussende elektrische Feld aufbauende Steuerelektrode als Gate (Tor, g-Pol) bezeichnet. Wie bei den Bipolartransistoren unterscheidet man drei Grundschaltungen, die Source-Schaltung, Drain-Schaltung und Gate-Schaltung.
Die Ausführungsformen der Feldeffekttransistoren unterscheiden sich folgendermaßen: Beim Sperrschicht- oder Junction-Feldeffekttransistor (Abkürzung SFET oder JFET) wird der in ein Material entgegengesetzten Leitungstyps eingebettete Stromkanal zwischen Quelle und Senke mithilfe der (in ihrer Dicke von der Quelle-Tor-Spannung abhängigen) Sperrschichten zwischen dem Kanal und dem umgebenden Material verändert und damit der Stromfluss in ihm gesteuert.Beim Oberflächen- oder Isolierschicht-Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (Abkürzung IGFET) ist die metallische Steuerelektrode vom dotierten Halbleitereinkristall durch eine Isolatorschicht (MIS-Technik), meist eine Siliciumdioxidschicht (MOS-Technik), getrennt; entsprechend werden diese Feldeffekttransistoren als MIS- oder MOS-Feldeffekttransistoren (Abkürzung MISFET beziehungsweise MOSFET) bezeichnet. Die Steuerung erfolgt nur durch das elektrische Feld, das die Breite des Kanals ändert. Je nachdem, ob dieser Kanal auch bei Nicht-vorhanden-Sein einer Gate-Spannung besteht oder nicht besteht, liegt ein Ausschöpfungs- oder Verarmungstyp beziehungsweise ein Steigerungs- oder Anreicherungstyp vor. Varianten sind die CMOS-Feldeffekttransistoren (CMOS-Technik) und die VMOS-Feldeffekttransistoren (VMOS-Technik) sowie die in Ladungsverschiebeschaltungen verwendeten MIS-Oberflächenladungstransistoren. Beim Dünnschicht-Feldeffekttransistor (Dünnschichttriode), der in seiner Wirkungsweise dem Oberflächen-Feldeffekttransistor ähnelt, sind auf einem isolierenden Träger (z. B. Glas) eine dünne Halbleiterschicht (z. B. aus Cadmiumsulfid) und darüber eine Isolierschicht für das Gate aufgedampft.
Weitere Feldeffekttransistoren sind der Photofeldeffekttransistor mit größerer Empfindlichkeit als der bipolare Phototransistor, das nach dem Prinzip des Sperrschicht-Feldeffekttransistor arbeitende Alcatron mit einer konzentrisch zur Senke in einer Rinne des kreisförmigen Kristallplättchens befindlichen Torelektrode und einem auf der Gegenseite anlegierten Metallring als Gegenelektrode sowie als Kombination zweier Feldeffekttransistoren die Feldeffekt- oder Feldeffekttransistor-Tetrode.