DEPLETIONTRANSISTOR

Depletion-Transistor

 

[dɪ'plɪːʃn-; englisch »Verarmung«], Depletion-MISFET, ein Feldeffekttransistor (MISFET) vom Verarmungstyp, in dem sich bei Anlegen einer geeigneten Source-Drain-Spannung ein leitender n- oder p-Kanal zwischen Source und Drain ausbildet, dessen Leitfähigkeit im Falle eines n-Kanal-FET durch eine negative, bei einem p-Kanal-FET durch eine positive Gatespannung (gegenüber Source) herabgesetzt wird; bei einer bestimmten Größe der Gatespannung (»Abschnürspannung«) existiert der leitfähige Kanal nicht mehr. Gegensatz: Enhancement-Transistorisch